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Optics Valley团队最大的创新,另一种原型9 nm光刻测试

时间: 2019-06-10 16:03 作者:365bet365打不开 来源:365bet体育线上投注 点击:
从武汉国家光电子研究中心发现,中心的甘兰松团队利用双光束激光器自行开发了光保护,并利用远场光学技术对该片段进行了分析,打破了光束衍射极限。从超高分辨率图像的采集到具有超反射的光刻技术,已经实现了创新技术。
光刻机是集成电路制造过程中的重要设备。主要由荷兰ASML制造的深紫外(DUV)和极紫外(EUV)光刻系统属于国内制造业的“卡色”技术。集成电路
2009年,甘兰松团队继德国科学家Stefan W. Hull的诺贝尔化学奖超分辨率荧光成像原理之后,在不掌握该技术的情况下为生成光线铺平了道路。
具有9nm线宽的双光束超衍射限制光刻技术与用于连续缩短光刻波长的集成电路光刻设备的主流完全不同,193nm至深紫外(DUV)13过渡。
5 nm极紫外波长(EUV)的技术路径
Ganlans团队使用光刻胶材料对不同波长的光产生不同的光化学反应。经过精心设计,自行开发的光保护器可以在第一波长的激光束和第二波长的激光下固化。具有零强度的中心光和第一光束形成重合点并且作用于光保护,使得仅通过光刻法固化光中心的第二中空部分。衍射极限在远处时会被破坏。
纳米加工结构的设计和实际光刻的效果自2013年Gan Brown Pine验证以来,该技术原理在从原型验证原型到商业工程原型的开发中遇到了困难。
经过两年的技术和技术开发,该团队在寻找材料,软件和零件方面克服了三个难题。
已经开发了各种光保护剂,包括有机树脂,半导体材料,金属等,其具有优于国外的完整性能。最合适的双光束超分辨率光刻技术的原理解决了技术支持的单一型光保护器的问题。
它实现了软件设计与三维微纳设备结构制作的集成,可以无需管理即可智能化地制造。
同时,通过合作,我们找到了原型系统的关键部件(飞秒激光,聚焦物镜等),并验证了国家部件超出产品性能。类似的外国人
双光束超衍射限制光刻系统主要应用于微纳米器件的三维光的制作。将来,随着器件性能的进一步提高,预计该技术将在解决诸如制造速度等重要问题后应用于集成电路制造。
正如甘郎松所说,“最重要的是,在与微纳米3D光的生产相关的领域,从材料和软件到光学和电子元件,不再受人类的影响。
资料来源:中国光谷人才区
标签:
Optics Valley 9nm光刻测试原型光学谷团队


(责任编辑:admin)

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